IS41LV16100D-50TLI 规格书下载 芯成半导体
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芯成半导体
动态随机存取存储器(DRAM)
型号信息 完整电气参数以规格书为准
- 型号
- IS41LV16100D-50TLI
- 品牌
- 芯成半导体 ISSI
- 系列
- IS41LV
- 分类
- 存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
- 封装
- TSOP-50-4.4mm
IS41LV16100D 50TLI
主要参数 4 项 · 以规格书为准
| 功能特性 | 内置自刷新逻辑 |
|---|---|
| 刷新电流 | 90mA |
| 存储容量 | 16Mb |
| 工作电压 | 0.3V~0.8V |
可替代型号 按子类与关键参数自动比对
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替换前确认清单（动态随机存取存储器(DRAM)）
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- 封装与引脚兼容
- 电压与功耗符合设计余量
- 外围电路是否需要调整
- 建议先小批量验证再批量切换
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