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兆易创新
动态随机存取存储器(DRAM)
型号信息 完整电气参数以规格书为准
- 型号
- GDB4CBQN-ML
- 品牌
- 兆易创新 GigaDevice
- 系列
- GDB4CB
- 分类
- 存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
- 封装
- FBGA-200
低功耗双倍数据率4X同步动态随机存取存储器
主要参数 2 项 · 以规格书为准
| 存储容量 | 16Gb |
|---|---|
| 工作电压 | 0.57V~0.65V |
可替代型号 按子类与关键参数自动比对
参数同级暂无自动匹配的替代型号。告诉我们你现在的用料，可以人工找替代或做验证。
替换前确认清单（动态随机存取存储器(DRAM)）
- 关键参数逐项比对（参考上方对照表）
- 封装与引脚兼容
- 电压与功耗符合设计余量
- 外围电路是否需要调整
- 建议先小批量验证再批量切换
以上为本产品类型的通用确认要点，逐项核对后建议先小批量验证；需要样品、替代评估报告或 FAE 支持，可直接询价，我们提供免费送样与验证协助。
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