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GD5F4GQ6UEYIGR 规格书下载 兆易创新

可下载 兆易创新 NAND FLASH
型号信息 完整电气参数以规格书为准
型号
GD5F4GQ6UEYIGR
品牌
兆易创新 GigaDevice
系列
GD5F
分类
存储器 / NAND FLASH
封装
USON-8-EP(6x8)

4G bit ,页面大小为 2K+128B,E 版本

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型号自动带入询价单

主要参数 4 项 · 以规格书为准
存储容量4Gbit
接口类型SPI
时钟频率(fc)104MHz
工作电压2.7V~3.6V
可替代型号 6 个候选 · 按子类与关键参数自动比对
型号品牌判定关键参数对比规格书
GD5F4GM8UEYIGR兆易创新功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 4Gbit → 4Gbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 USON-8-EP(6x8) → WSON8(6x8)
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MKDV4GCL-ABB米客方德功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 4Gbit → 4Gbit接口 SPI → SD/MMC/SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 USON-8-EP(6x8) → LGA-8(6x8)
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MKDV4GCL-ABG米客方德功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 4Gbit → 4Gbit接口 SPI → SD/MMC/SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 USON-8-EP(6x8) → LGA-8(6x8)
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MKDV4GIL-AST米客方德功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 4Gbit → 4Gbit接口 SPI → SD/MMC/SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 USON-8-EP(6x8) → LGA-8(6x8)
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MT29F4G01ABAFD12美光功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 4Gbit → 4Gbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 USON-8-EP(6x8) → UPDFN-8
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MT29F4G01ABAFDWB美光功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 4Gbit → 4Gbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 USON-8-EP(6x8) → UPDFN-8
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判定只看公开参数(容量/接口/封装/引脚/主频),未覆盖时序余量、温度等级、认证与批次差异。替换前请以双方规格书确认;需要样品或替代验证支持可直接询价。

替换前确认清单(NAND FLASH)
  1. 页/块大小与组织(如 2K+64B、4K+256B)
  2. ECC 方案(片内 ECC 还是主控软件 ECC,强度是否够)
  3. 坏块管理策略与出厂坏块数上限
  4. ONFI/时序模式与主控兼容
  5. 颗粒类型(SLC/MLC/TLC)与擦写寿命、数据保持
  6. 封装与焊盘定义

以上为本产品类型的通用确认要点,逐项核对后建议先小批量验证;需要样品、替代评估报告或 FAE 支持,可直接询价,我们提供免费送样与验证协助。

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