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GD5F2GQ5UFYIGR 规格书下载 兆易创新

可下载 兆易创新 EEPROM
型号信息 完整电气参数以规格书为准
型号
GD5F2GQ5UFYIGR
品牌
兆易创新 GigaDevice
系列
GD5F
分类
存储器 / EEPROM
封装
-

1G-bit 2K+128B 页大小SPI-NAND闪存

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型号自动带入询价单

主要参数 1 项 · 以规格书为准
功能特性硬件写保护功能;内置错误纠正码(ECC)功能;内置写使能锁存器(WEL)
可替代型号 按子类与关键参数自动比对

参数同级暂无自动匹配的替代型号。告诉我们你现在的用料,可以人工找替代或做验证。

替换前确认清单(EEPROM)
  1. 总线与器件地址(I2C 地址引脚接法一致)
  2. 容量与页写入大小(16/32/64B,影响写入效率)
  3. 写周期时间与擦写寿命(100 万次)
  4. 工作电压与待机电流(电池供电场景重点)
  5. 封装(SOP8/SOT23-5/TSSOP8)与引脚

以上为本产品类型的通用确认要点,逐项核对后建议先小批量验证;需要样品、替代评估报告或 FAE 支持,可直接询价,我们提供免费送样与验证协助。

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