APS12808L-3OBM-BA 规格书下载 Apmemory
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Apmemory
PSRAM(伪静态)
型号信息 完整电气参数以规格书为准
- 型号
- APS12808L-3OBM-BA
- 品牌
- Apmemory
- 系列
- APS1280
- 分类
- 存储器 / PSRAM(伪静态)
- 封装
- BGA-24L
双数据速率Octal SPI PSRAM
主要参数 5 项 · 以规格书为准
| 功能特性 | 软件复位功能；内置温度传感器；部分阵列刷新；内置自动刷新逻辑；硬件复位功能；自动掉电功能；温度补偿刷新；内置电压传感器 |
|---|---|
| 存储容量 | 266MB |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 工作温度 | -40~+85°C |
可替代型号 2 个候选 · 按子类与关键参数自动比对
| 型号 | 品牌 | 判定 | 关键参数对比 | 规格书 |
|---|---|---|---|---|
| APS12808L | Apmemory | 引脚兼容可直接替换，无需改板 | 存储容量 2.07812Gbit → 2.07812Gbit接口 SPI → SPI封装 BGA-24L → BGA-24L | 下载 |
| APS12808L-3OBMX-BA | Apmemory | 引脚兼容可直接替换，无需改板 | 存储容量 2.07812Gbit → 2.07812Gbit接口 SPI → SPI封装 BGA-24L → BGA-24L | 下载 |
判定只看公开参数（容量/接口/封装/引脚/主频），未覆盖时序余量、温度等级、认证与批次差异。替换前请以双方规格书确认；需要样品或替代验证支持可直接询价。
替换前确认清单（PSRAM(伪静态)）
- 接口模式（CR 型/传统 SRAM 时序型）
- 主控刷新机制支持
- 容量与位宽
- 待机电流与刷新电流
- 封装兼容
以上为本产品类型的通用确认要点，逐项核对后建议先小批量验证；需要样品、替代评估报告或 FAE 支持，可直接询价，我们提供免费送样与验证协助。
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