TH58BYG2S3HBAI4 规格书下载 铠侠
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铠侠
NAND FLASH
型号信息 完整电气参数以规格书为准
- 型号
- TH58BYG2S3HBAI4
- 品牌
- 铠侠 KIOXIA
- 系列
- TH58BY
- 分类
- 存储器 / NAND FLASH
- 封装
- TFBGA-63(9x11)
TH58BYG2S3HBAI4
主要参数 4 项 · 以规格书为准
| 存储容量 | 4Gbit |
|---|---|
| 工作电压 | 1.8V |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 功能特性 | ECC纠错功能 |
可替代型号 按子类与关键参数自动比对
参数同级暂无自动匹配的替代型号。告诉我们你现在的用料,可以人工找替代或做验证。
替换前确认清单(NAND FLASH)
- 页/块大小与组织(如 2K+64B、4K+256B)
- ECC 方案(片内 ECC 还是主控软件 ECC,强度是否够)
- 坏块管理策略与出厂坏块数上限
- ONFI/时序模式与主控兼容
- 颗粒类型(SLC/MLC/TLC)与擦写寿命、数据保持
- 封装与焊盘定义
以上为本产品类型的通用确认要点,逐项核对后建议先小批量验证;需要样品、替代评估报告或 FAE 支持,可直接询价,我们提供免费送样与验证协助。
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