TC58BYG0S3HBAI6 规格书下载铠侠

Name: TC58BYG0S3HBAI6
Brand: 铠侠
SKU: TC58BYG0S3HBAI6

可下载铠侠 NAND FLASH

型号信息 完整电气参数以规格书为准

1 Gbit CMOS NAND E2PROM

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型号自动带入询价单

主要参数 4 项 · 以规格书为准

可替代型号 6 个候选 · 按子类与关键参数自动比对

型号	品牌	判定	关键参数对比	规格书
TC58NYG0S3HBAI6	铠侠	功能兼容容量/接口一致，封装不同，需改板	存储容量 1Gbit → 1Gbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 1.7~1.95V → 1.7~1.95V封装 VFBGA-67(6.5x8) → VFBGA-67	下载
TC58BYG1S3HBAI6	铠侠	升级替换容量更大，够用但成本可能更高	存储容量 1Gbit → 2Gbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 1.7~1.95V → 1.7~1.95V封装 VFBGA-67(6.5x8) → VFBGA-67(6.5x8)	下载
TC58BYG2S0HBAI6	铠侠	升级替换容量更大，够用但成本可能更高	存储容量 1Gbit → 4Gbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 1.7~1.95V → 1.7~1.95V封装 VFBGA-67(6.5x8) → VFBGA-67(6.5x8)	下载
TC58NYG1S3HBAI6	铠侠	升级替换容量更大，够用但成本可能更高	存储容量 1Gbit → 2Gbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 1.7~1.95V → 1.7~1.95V封装 VFBGA-67(6.5x8) → VFBGA-67(6.5x8)	下载
TC58NYG2S0HBAI6	铠侠	升级替换容量更大，够用但成本可能更高	存储容量 1Gbit → 4Gbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 1.7~1.95V → 1.7~1.95V封装 VFBGA-67(6.5x8) → VFBGA-67(6.5x8)	下载
TH58BYG2S3HBAI6	铠侠	升级替换容量更大，够用但成本可能更高	存储容量 1Gbit → 4Gbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 1.7~1.95V → 1.7~1.95V封装 VFBGA-67(6.5x8) → VFBGA-67(6.5x8)	下载

判定只看公开参数（容量/接口/封装/引脚/主频），未覆盖时序余量、温度等级、认证与批次差异。替换前请以双方规格书确认；需要样品或替代验证支持可直接询价。

替换前确认清单（NAND FLASH）

以上为本产品类型的通用确认要点，逐项核对后建议先小批量验证；需要样品、替代评估报告或 FAE 支持，可直接询价，我们提供免费送样与验证协助。

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