MR25H256MDCR 规格书下载 Everspin
可下载
Everspin
随机存取存储器(RAM)
型号信息 完整电气参数以规格书为准
- 型号
- MR25H256MDCR
- 品牌
- Everspin
- 系列
- MR25H
- 分类
- 存储器 / 随机存取存储器(RAM)
- 封装
- DFN-8(5x6)
256Kb串行SPI MRAM
主要参数 6 项 · 以规格书为准
| 接口类型 | SPI |
|---|---|
| 存储器构架(格式) | <SPAN CLASS='LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS'>MRAM</SPAN> |
| 存储容量 | 256Kbit |
| 功能特性 | 块保护功能;写使能锁存功能功能;上电/掉电/欠压数据保护功能;硬件写保护功能 |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 时钟频率(fc) | 40MHz |
可替代型号 6 个候选 · 按子类与关键参数自动比对
| 型号 | 品牌 | 判定 | 关键参数对比 | 规格书 |
|---|---|---|---|---|
| MR25H256CDF | Everspin | 引脚兼容可直接替换,无需改板 | 存储容量 256Kbit → 256Kbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 DFN-8(5x6) → DFN-8(5x6) | 下载 |
| MR25H256MDFR | Everspin | 引脚兼容可直接替换,无需改板 | 存储容量 256Kbit → 256Kbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 DFN-8(5x6) → DFN-8(5x6) | 下载 |
| MR25H256 | Everspin | 功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板 | 存储容量 256Kbit → 256Kbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 DFN-8(5x6) → DFN-8-EP(5x6) | 下载 |
| MR25H256A | Everspin | 功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板 | 存储容量 256Kbit → 256Kbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 DFN-8(5x6) → DFN-8-EP(5x6) | 下载 |
| MR25H256ACDF | Everspin | 功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板 | 存储容量 256Kbit → 256Kbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 DFN-8(5x6) → DFN-8-EP(5x6) | 下载 |
| PM004MNIATR | 上海矽朋 | 升级替换容量更大,够用但成本可能更高 | 存储容量 256Kbit → 4Mbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 DFN-8(5x6) → SOP-8 | 下载 |
判定只看公开参数(容量/接口/封装/引脚/主频),未覆盖时序余量、温度等级、认证与批次差异。替换前请以双方规格书确认;需要样品或替代验证支持可直接询价。
替换前确认清单(随机存取存储器(RAM))
- 关键参数逐项比对(参考上方对照表)
- 封装与引脚兼容
- 电压与功耗符合设计余量
- 外围电路是否需要调整
- 建议先小批量验证再批量切换
以上为本产品类型的通用确认要点,逐项核对后建议先小批量验证;需要样品、替代评估报告或 FAE 支持,可直接询价,我们提供免费送样与验证协助。
询价 / 索取该型号规格书 型号已自动带入
同系列型号
MR25H101Mb串行SPI MRAM
MR25H10CDF1Mb串行SPI MRAM
MR25H10CDFR1Mb 串行 SPI MRAM
MR25H128A128Kb串行SPI MRAM
MR25H128AMDF128Kb串行SPI MRAM
MR25H256256Kb串行SPI MRAM
MR25H256A256Kb串行SPI MRAM
MR25H256ACDF256Kb串行SPI MRAM
MR25H256CDF256Kb串行SPI MRAM
MR25H256MDFR256Kb串行SPI MRAM
MR25H404Mb SPI接口MRAM
MR25H40CDF4Mb SPI接口MRAM
MR25H40MDF4Mb SPI接口MRAM
同类其他型号
EM064LX扩展串行外设接口工业STT - MRAM持久内存,1.8V、200MHz八进制S
EM064LXQAB313IS1R扩展串行外设接口工业STT - MRAM持久内存,1.8V、200MHz八进制S
MR0A08B128Kx8 MRAM,3.3V 电源,35ns 读写周期
MR0A08BC128Kx8 MRAM,3.3V 电源,35ns 读写周期
MR0A08BCYS35128Kx8 MRAM,3.3V 电源,35ns 读写周期
MR10Q0101 Mb高速Quad SPI MRAM