M10162040054X0IWAY 规格书下载 RENESAS(瑞萨)/IDT

Name: M10162040054X0IWAY
Brand: RENESAS(瑞萨)/IDT
SKU: M10162040054X0IWAY

可下载 RENESAS(瑞萨)/IDT 随机存取存储器(RAM)

型号信息 完整电气参数以规格书为准

高性能串行MRAM存储器

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型号自动带入询价单

主要参数 5 项 · 以规格书为准

接口类型	SPI
存储器构架(格式)	<SPAN CLASS='LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS'>MRAM</SPAN>
存储容量	16Mbit
工作温度	-40℃~+85℃
工作电压	1.71V~2.00V

可替代型号 6 个候选 · 按子类与关键参数自动比对

型号	品牌	判定	关键参数对比	规格书
M10162040108X0IWAR	RENESAS(瑞萨)/IDT	引脚兼容可直接替换，无需改板	存储容量 16Mbit → 16Mbit接口 SPI → SPI工作电压 1.71~2V → 1.71~2V封装 DFN-8(5x6) → DFN-8(5x6)	下载
M10162040108X0PWAY	RENESAS(瑞萨)/IDT	引脚兼容可直接替换，无需改板	存储容量 16Mbit → 16Mbit接口 SPI → SPI工作电压 1.71~2V → 1.71~2V封装 DFN-8(5x6) → DFN-8(5x6)	下载
M30162040054X0PWAY	RENESAS(瑞萨)/IDT	引脚兼容可直接替换，无需改板	存储容量 16Mbit → 16Mbit接口 SPI → SPI工作电压 1.71~2V → 1.71~2V封装 DFN-8(5x6) → DFN-8(5x6)	下载
M30162040108X0PWAR	RENESAS(瑞萨)/IDT	引脚兼容可直接替换，无需改板	存储容量 16Mbit → 16Mbit接口 SPI → SPI工作电压 1.71~2V → 1.71~2V封装 DFN-8(5x6) → DFN-8(5x6)	下载
M30162040108X0PWAY	RENESAS(瑞萨)/IDT	引脚兼容可直接替换，无需改板	存储容量 16Mbit → 16Mbit接口 SPI → SPI工作电压 1.71~2V → 1.71~2V封装 DFN-8(5x6) → DFN-8(5x6)	下载
M10162040054X0PSAR	RENESAS(瑞萨)/IDT	功能兼容容量/接口一致，封装不同，需改板	存储容量 16Mbit → 16Mbit接口 SPI → SPI工作电压 1.71~2V → 1.71~2V封装 DFN-8(5x6) → SOIC-8	下载

判定只看公开参数（容量/接口/封装/引脚/主频），未覆盖时序余量、温度等级、认证与批次差异。替换前请以双方规格书确认；需要样品或替代验证支持可直接询价。

替换前确认清单（随机存取存储器(RAM)）

以上为本产品类型的通用确认要点，逐项核对后建议先小批量验证；需要样品、替代评估报告或 FAE 支持，可直接询价，我们提供免费送样与验证协助。

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