GD9FU1G8F2AMGI 规格书下载 兆易创新
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兆易创新
NAND FLASH
型号信息 完整电气参数以规格书为准
- 型号
- GD9FU1G8F2AMGI
- 品牌
- 兆易创新 GigaDevice
- 系列
- GD9FU
- 分类
- 存储器 / NAND FLASH
- 封装
- TSOPI-48
GD9FU1G8F2AMGI
主要参数 4 项 · 以规格书为准
| 存储容量 | 1Gbit |
|---|---|
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 页写入时间(Tpp) | 300us |
| 块擦除时间(tBE) | 3ms |
可替代型号 按子类与关键参数自动比对
参数同级暂无自动匹配的替代型号。告诉我们你现在的用料,可以人工找替代或做验证。
替换前确认清单(NAND FLASH)
- 页/块大小与组织(如 2K+64B、4K+256B)
- ECC 方案(片内 ECC 还是主控软件 ECC,强度是否够)
- 坏块管理策略与出厂坏块数上限
- ONFI/时序模式与主控兼容
- 颗粒类型(SLC/MLC/TLC)与擦写寿命、数据保持
- 封装与焊盘定义
以上为本产品类型的通用确认要点,逐项核对后建议先小批量验证;需要样品、替代评估报告或 FAE 支持,可直接询价,我们提供免费送样与验证协助。
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