GD55B01GEBIRY 规格书下载 兆易创新
可下载
兆易创新
NOR FLASH
型号信息 完整电气参数以规格书为准
- 型号
- GD55B01GEBIRY
- 品牌
- 兆易创新 GigaDevice
- 系列
- GD55B
- 分类
- 存储器 / NOR FLASH
- 封装
- TFBGA-24(6x8)
GD55B01GEBIRY
主要参数 4 项 · 以规格书为准
| 接口类型 | SPI |
|---|---|
| 存储容量 | 1Gbit |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
可替代型号 6 个候选 · 按子类与关键参数自动比对
| 型号 | 品牌 | 判定 | 关键参数对比 | 规格书 |
|---|---|---|---|---|
| W25Q01JVTBIM TR | 华邦 | 引脚兼容可直接替换，无需改板 | 存储容量 1Gbit → 1Gbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 TFBGA-24(6x8) → TFBGA-24(6x8) | 下载 |
| W25Q01JVTBIQ | 华邦 | 引脚兼容可直接替换，无需改板 | 存储容量 1Gbit → 1Gbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 TFBGA-24(6x8) → TFBGA-24(6x8) | 下载 |
| W25Q01JVTBIQ TR | 华邦 | 引脚兼容可直接替换，无需改板 | 存储容量 1Gbit → 1Gbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 TFBGA-24(6x8) → TFBGA-24(6x8) | 下载 |
| MX66L1G45GXDI-08G | 旺宏电子 | 功能兼容容量/接口一致，封装不同，需改板 | 存储容量 1Gbit → 1Gbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 TFBGA-24(6x8) → TBGA-24 | 下载 |
| MX66L1G45GXDI-10G | 旺宏电子 | 功能兼容容量/接口一致，封装不同，需改板 | 存储容量 1Gbit → 1Gbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 TFBGA-24(6x8) → BGA-24 | 下载 |
| MX66L1G45GXDJ-10G | 旺宏电子 | 功能兼容容量/接口一致，封装不同，需改板 | 存储容量 1Gbit → 1Gbit接口 SPI → SPI工作电压 2.7~3.6V → 2.7~3.6V封装 TFBGA-24(6x8) → CSPBGA-24(6x8) | 下载 |
判定只看公开参数（容量/接口/封装/引脚/主频），未覆盖时序余量、温度等级、认证与批次差异。替换前请以双方规格书确认；需要样品或替代验证支持可直接询价。
替换前确认清单（NOR FLASH）
- 封装与引脚兼容（SOP8/WSON/SOIC8 焊盘定义逐一核对）
- SPI 指令集与 Quad/QSPI 支持（快读 0xEB、扇区/块擦除指令差异）
- 容量、页大小与扇区结构（页 256B、扇区 4K 是否一致）
- 工作电压与速度等级（80/104/133MHz 及等效四线速率）
- JEDEC ID 与初始化流程（ID 不同驱动需适配）
- 写保护、OTP 与唯一 ID 等安全特性需求
以上为本产品类型的通用确认要点，逐项核对后建议先小批量验证；需要样品、替代评估报告或 FAE 支持，可直接询价，我们提供免费送样与验证协助。
询价 / 索取该型号规格书 型号已自动带入
同系列型号
GD55B01GEFIRRGD55B01GEFIRR
GD55B02GEBIRY统一扇区标准和四路串行闪存，具备快速编程/擦除速度、灵活架构、高速时钟频率、低功
同类其他型号
BY25D16ASOIG16Mbit，NOR FLASH，TSSOP8 173mil 封装，工业级
BY25D16ASSIG16Mbit，NOR FLASH，SOP8208mil 封装，工业级
BY25D16ASTIG16Mbit，NOR FLASH，SOP8150mil 封装，工业级
BY25D40ASMIG4Mbit，NOR FLASH，USON8 2*3 封装，工业级
BY25D40ASOIG4Mbit，NOR FLASH，TSSOP8 173mil 封装，工业级
BY25D40ASTIG4Mbit，NOR FLASH，SOP8150mil 封装，工业级