规格书均为整理版,如需原厂原始文件或未收录料号,可直接联系我们
150-1290-5940 · sales@manduic.com
首页/存储器/静态随机存取存储器(SRAM)/CY62157EV30LL-45ZXAT

CY62157EV30LL-45ZXAT 规格书下载 赛普拉斯

可下载 赛普拉斯 静态随机存取存储器(SRAM)
型号信息 完整电气参数以规格书为准
型号
CY62157EV30LL-45ZXAT
品牌
赛普拉斯 Infineon/CYPRESS
系列
CY6215
分类
存储器 / 静态随机存取存储器(SRAM)
封装
TSOPII-44-10.2mm

同族型号(见 CY62157EV30LL-45ZSXIT 规格书)

下载规格书 PDF

整理版 · 每页含我们的联系方式

扫码在手机上打开本页
型号自动带入询价单

主要参数 4 项 · 以规格书为准
接口类型并口(Parallel)
存储容量8Mbit
工作电压2.2V~3.6V
读写时间45ns
可替代型号 6 个候选 · 按子类与关键参数自动比对
型号品牌判定关键参数对比规格书
IS61WV51216EDBLL-10TLI芯成半导体引脚兼容可直接替换,无需改板
存储容量 8Mbit → 8Mbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 2.2~3.6V → 2.4~3.6V封装 TSOPII-44-10.2mm → TSOPII-44-10.2mm
下载
IS61WV51216EEALL-20B2LI芯成半导体引脚兼容可直接替换,无需改板
存储容量 8Mbit → 8Mbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 2.2~3.6V → 2.4~3.6V封装 TSOPII-44-10.2mm → TSOPII-44-10.2mm
下载
IS61WV51216EEALL-20BLI芯成半导体引脚兼容可直接替换,无需改板
存储容量 8Mbit → 8Mbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 2.2~3.6V → 2.4~3.6V封装 TSOPII-44-10.2mm → TSOPII-44-10.2mm
下载
IS61WV51216EEALL-20T2LI芯成半导体引脚兼容可直接替换,无需改板
存储容量 8Mbit → 8Mbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 2.2~3.6V → 2.4~3.6V封装 TSOPII-44-10.2mm → TSOPII-44-10.2mm
下载
IS61WV51216EEALL-20TLI芯成半导体引脚兼容可直接替换,无需改板
存储容量 8Mbit → 8Mbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 2.2~3.6V → 2.4~3.6V封装 TSOPII-44-10.2mm → TSOPII-44-10.2mm
下载
IS61WV51216EEBLL-10B2I芯成半导体引脚兼容可直接替换,无需改板
存储容量 8Mbit → 8Mbit接口 PARALLEL → PARALLEL工作电压 2.2~3.6V → 2.4~3.6V封装 TSOPII-44-10.2mm → TSOPII-44-10.2mm
下载

判定只看公开参数(容量/接口/封装/引脚/主频),未覆盖时序余量、温度等级、认证与批次差异。替换前请以双方规格书确认;需要样品或替代验证支持可直接询价。

替换前确认清单(静态随机存取存储器(SRAM))
  1. 访问时序等级(-10/-12 ns)与主控余量
  2. 容量与位宽(x8/x16)
  3. 待机/工作电流
  4. 接口电平与输出驱动能力
  5. 封装与引脚

以上为本产品类型的通用确认要点,逐项核对后建议先小批量验证;需要样品、替代评估报告或 FAE 支持,可直接询价,我们提供免费送样与验证协助。

询价 / 索取该型号规格书 型号已自动带入

提交后会打开你的邮件客户端并把内容填好;也可以直接发到 sales@manduic.com,或加微信 150-1290-5940。

同系列型号
CY62157DV308Mbit静态RAM,采用CMOS技术,具备超低功耗、自动掉电和内存扩展功能,有
CY62157EV308Mbit静态RAM,采用CMOS技术,具备超低功耗、自动掉电和内存扩展功能,有
CY62157EV30LL8Mbit静态RAM,采用CMOS技术,具备超低功耗、自动掉电和内存扩展功能,有
CY62157EV30LL-458Mbit静态RAM,采用CMOS技术,具备超低功耗、自动掉电和内存扩展功能,有
CY62157EV30LL-45BVI同族型号(见 CY62157DV30 规格书)
CY62157EV30LL-45BVIT同族型号(见 CY62157DV30 规格书)
CY62157EV30LL-45BVXA同族型号(见 CY62157EV30LL 规格书)
CY62157EV30LL-45BVXI同族型号(见 CY62157DV30 规格书)
CY62157EV30LL-45ZSXA同族型号(见 CY62157EV30LL 规格书)
CY62157EV30LL-45ZSXI同族型号(见 CY62157DV30 规格书)
CY62157EV30LL-45ZSXIT8Mbit静态RAM,采用CMOS技术,具备超低功耗、自动掉电和内存扩展功能,有
CY62157EV30LL-45ZXA同族型号(见 CY62157EV30LL-45 规格书)
CY62157EV30LL-45ZXI同族型号(见 CY62157DV30 规格书)
CY62157EV30LL-45ZXIT同族型号(见 CY62157DV30 规格书)
CY62157EV30LL-558Mbit静态RAM,采用CMOS技术,具备超低功耗、自动掉电和内存扩展功能,有
同类其他型号
AS7C31026B-10JCN同族型号(见 AS7C31026B-10TCN 规格书)
AS7C31026B-10JIN同族型号(见 AS7C31026B-10TCN 规格书)
AS7C31026B-10TCN1M,静态随机存取存储器(SRAM),TSOP-II (44) 封装,商业级
AS7C31026B-12JCN同族型号(见 AS7C31026B-10TCN 规格书)
AS7C31026B-12JIN同族型号(见 AS7C31026B-10TCN 规格书)
AS7C31026B-12TCN1M,静态随机存取存储器(SRAM),TSOP-II (44) 封装,商业级