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23LC1024-I/SN 规格书下载 美国微芯

可下载 美国微芯 静态随机存取存储器(SRAM)
型号信息 完整电气参数以规格书为准
型号
23LC1024-I/SN
品牌
美国微芯 MICROCHIP
系列
—
分类
存储器 / 静态随机存取存储器(SRAM)
封装
SOP-8

1Mbit SPI串行SRAM,具备SDI和SQI接口

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型号自动带入询价单

主要参数 4 项 · 以规格书为准
接口类型SPI
存储容量1Mbit
工作电压2.5V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃
可替代型号 6 个候选 · 按子类与关键参数自动比对
型号品牌判定关键参数对比规格书
23LC1024T-I/SN美国微芯引脚兼容可直接替换,无需改板
存储容量 1Mbit → 1Mbit接口 SPI → SPI工作电压 2.5~5.5V → 2.5~5.5V封装 SOP-8 → SOP-8
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23LC1024-I/ST美国微芯功能兼容容量/接口一致,封装不同,需改板
存储容量 1Mbit → 1Mbit接口 SPI → SPI工作电压 2.5~5.5V → 2.5~5.5V封装 SOP-8 → TSSOP-8
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存储容量 1Mbit → 1Mbit接口 SPI → SPI工作电压 2.5~5.5V → 2.5~5.5V封装 SOP-8 → SOIC-8
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IS62WVS2568FALL芯成半导体升级替换容量更大,够用但成本可能更高
存储容量 1Mbit → 2Mbit接口 SPI → SPI工作电压 2.5~5.5V → 2.2~3.6V封装 SOP-8 → SOIC-8
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存储容量 1Mbit → 4Mbit接口 SPI → SPI工作电压 2.5~5.5V → 1.7~3.6V封装 SOP-8 → SOIC-8
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判定只看公开参数(容量/接口/封装/引脚/主频),未覆盖时序余量、温度等级、认证与批次差异。替换前请以双方规格书确认;需要样品或替代验证支持可直接询价。

替换前确认清单(静态随机存取存储器(SRAM))
  1. 访问时序等级(-10/-12 ns)与主控余量
  2. 容量与位宽(x8/x16)
  3. 待机/工作电流
  4. 接口电平与输出驱动能力
  5. 封装与引脚

以上为本产品类型的通用确认要点,逐项核对后建议先小批量验证;需要样品、替代评估报告或 FAE 支持,可直接询价,我们提供免费送样与验证协助。

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