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三星半导体 SAMSUNG · 38 个型号
该品牌型号
| 型号 | 品牌 | 分类 | 功能简述 | 替代 | 规格书 |
|---|---|---|---|---|---|
| K4A4G165WE | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | K4A4G165WE-BCWE | — | 下载 PDF |
| K4A4G165WE-BCPB | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | K4A4G165WE-BCWE | — | 下载 PDF |
| K4A4G165WE-BCRC | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | K4A4G165WE-BCWE | — | 下载 PDF |
| K4A4G165WE-BCTD | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | K4A4G165WE-BCWE | — | 下载 PDF |
| K4A4G165WE-BCWE | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | K4A4G165WE-BCWE | — | 下载 PDF |
| K4A4G165WE-BIPB | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | K4A4G165WE-BCWE | — | 下载 PDF |
| K4A4G165WE-BIRC | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 4Gb DDR4 SDRAM | — | 下载 PDF |
| K4A4G165WE-BITD | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | K4A4G165WE-BCWE | — | 下载 PDF |
| K4A4G165WE-BIWE | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | K4A4G165WE-BCWE | — | 下载 PDF |
| K4A8G085WC | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb C-die DDR4 SDRAM | — | 下载 PDF |
| K4A8G085WC-BITD | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb C-die DDR4 SDRAM | — | 下载 PDF |
| K4A8G085WC-BIWE | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb C-die DDR4 SDRAM | — | 下载 PDF |
| K4A8G165WB | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，1.2V | — | 下载 PDF |
| K4A8G165WB-BCPB | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，1.2V | — | 下载 PDF |
| K4A8G165WB-BCRC | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，1.2V | — | 下载 PDF |
| K4A8G165WB-BCTD | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，1.2V | — | 下载 PDF |
| K4A8G165WB-BIPB | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，1.2V | — | 下载 PDF |
| K4A8G165WB-BIRC | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，1.2V | — | 下载 PDF |
| K4A8G165WB-BITD | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，1.2V | — | 下载 PDF |
| K4A8G165WC | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb C-die DDR4 SDRAM x16 | — | 下载 PDF |
| K4A8G165WC-BITD | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb C-die DDR4 SDRAM x16 | — | 下载 PDF |
| K4A8G165WC-BIWE | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb C-die DDR4 SDRAM x16 | — | 下载 PDF |
| K4Z80325BC | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb GDDR6 SGRAM C-die | — | 下载 PDF |
| K4Z80325BC-HC12 | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb GDDR6 SGRAM C-die | — | 下载 PDF |
| K4Z80325BC-HC14 | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb GDDR6 SGRAM C-die | — | 下载 PDF |
| K4Z80325BC-HC16 | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb GDDR6 SGRAM C-die | — | 下载 PDF |
| K4Z80325BC-HC18 | 三星半导体 | 动态随机存取存储器(DRAM) | 8Gb GDDR6 SGRAM C-die | — | 下载 PDF |
| KLM4G1FETE-B041 | 三星半导体 | eMMC | 嵌入式多媒体卡解决方案，采用BGA封装，兼容eMMC 5.1规范，支持HS400模式以提高顺序带宽 | — | 下载 PDF |
| KLM8G1GETF-B041 | 三星半导体 | eMMC | 嵌入式多媒体卡解决方案，采用BGA封装，兼容eMMC 5.1协议，支持HS400模式 | — | 下载 PDF |
| KLM8G1GEUF | 三星半导体 | eMMC | 汽车eMMC | — | 下载 PDF |
| KLM8G1GEUF-B04P | 三星半导体 | eMMC | 汽车eMMC | — | 下载 PDF |
| KLMAG1JETD-B041 | 三星半导体 | eMMC | 嵌入式多媒体卡，兼容eMMC 5.1规范，支持HS400模式 | — | 下载 PDF |
| KLMBG2JETD-B041 | 三星半导体 | eMMC | 嵌入式多媒体卡解决方案，兼容eMMC 5.1规范，支持HS400高速模式，采用BGA封装 | — | 下载 PDF |
| KLMCG4JEUD-B04P | 三星半导体 | eMMC | EMMC 5.1，eMMC，11.5x13x1.2 mm 封装，-40 ~ 95C | — | 下载 PDF |
| KLMCG4JEUD-B04Q | 三星半导体 | eMMC | KLMCG4JEUD-B04Q | — | 下载 PDF |
| KLMDG4UCTB-B041 | 三星半导体 | eMMC | EMMC 5.1，eMMC，11.5x13x1.0 mm 封装，-25 ~ 85C | — | 下载 PDF |
| KLMDG8JEUD-B04P | 三星半导体 | eMMC | EMMC 5.1，eMMC，11.5x13x1.2 mm 封装，-40 ~ 95C | — | 下载 PDF |
| KLMDG8JEUD-B04Q | 三星半导体 | eMMC | EMMC 5.1，eMMC，11.5x13x1.2 mm 封装，-40 ~ 105C | — | 下载 PDF |